雪崩光敏二極管是一種p-n型光探測二極管，它利用載流子的雪崩倍增效應來放大光敏信號，提高探測靈敏度。它的基本結構通常采用易產生雪崩倍增性應的二極管結構(即N+PIP+型結構，P+一邊接受光線)，工作時反偏壓較大，使之達到雪崩倍增狀態；它的光吸收區與倍增區基本一致(P區和I區均存在高電場)。

N結加上適當的高反向偏壓，使耗盡層中光生載流子在強電場的加速作用下，獲得足夠高的動能，與晶格碰撞電離，產生新的電子對，這些載流子不斷地引起新的碰撞電離，導致載流子崩塌倍增，電流增加。硅片APD在0.6~0.9μm波段表現出接近理想的性能。在長波(1.3μn,1.55μm)波段光纖通信中，InGaAs(銦鎵砷)/InP(銦磷)APD是最理想的光探測器。

該APD的缺點是存在著通道電流倍增過程，會產生更大的散粒噪聲(減少p區摻雜，可以減少通道電流，但會增加崩塌電壓)。改進后的結構稱為SAM-APD：倍增區使用禁帶寬度較寬的材料(使光不被吸收)，光吸收區使用禁帶寬度較窄的材料；這里由于使用了異質結，就可以降低倍增區的摻雜濃度而不影響光吸收區，從而使其通道電流減小(如果是突變型異質結，則可以使光生空穴積累，從而影響器件的響應速度，此時可以在突變型異質結的中間插入一個緩變層，以減少ΔEv的影響)。

雪崩光敏二極管的保護很關鍵，做好保護，其在使用中才不會出現差錯。